Юнин Павел Андреевич

Старший научный сотрудникотдела технологии наноструктур и приборов, кандидат физ.-мат. наук.

Персональные данные

Родился 16 мая 1989 г. в Горьком. Женат.

Научные интересы

• Рентгеновская дифрактометрия полупроводниковых гетероструктур; рентгеновский фазовый анализ поликристаллов; послойный ВИМС анализ; методы анализа и обработки данных рентгеновской дифрактометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов; исследование сегрегации и диффузии в полупроводниковых структурах.

Образование

• Гимназия № 2 г. Нижнего Новгорода.

• Физический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

• 2010 — 2012: инженер-исследователь ИФМ РАН;

• 2012 — н. вр.: младший научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

1. Новый подход к рентгенодифракционному анализу тестовых структур при калибровке потоков в реакторах эпитаксиального роста / Юнин П. А., Дроздов Ю. Н., Новиков А. В., Юрасов Д. В., Поверхность. РСНИ 6, 36-39 (2012);

2. Послойный анализ структур с дельта-слоями методом ВИМС с учетом функции разрешения по глубине TOF. SIMS-5 / Юнин П. А., Дроздов Ю. Н., Дроздов М. Н., Новиков А. В., Юрасов Д. В., Поверхность. РСНИ 7, 26-30 (2012);

3. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, ФТП 46 (12), 1515-1520 (2012);

4. Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques / B. Ber, P. Babor, P. N. Brunkov, P. Chapon, M. N. Drozdov, R. Duda, D. Kazantsev, V. N. Polkovnikov, P. Yunin, A. Tolstogouzov, Thin Solid Films 540, 96-105 (2013);

5. Experimental shift allowance in the deconvolution of SIMS depth profiles / Yunin P. A., Drozdov Yu. N, Drozdov M. N., Surf. Interface Anal. 45, 1228-1232 (2013);

6. Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa2Cu3O7-delta при магнетронном распылении / Д. В. Мастеров, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин, Письма в ЖТФ 39 (19), 41-50 (2013);

7. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / Юнин П. А., Дроздов Ю. Н., Дроздов М. Н., Королев С. А., Лобанов Д. Н., ФТП 47 (12), 1580-1585 (2013);

8. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, П. А. Юнин, В. Ф. Разумов ««, Письма в ЖТФ 39 (24), 45-54 (2013);

Контакты

Email: yunin@ipmras.ru

Телефон: +7 (831) 417-94-91 +238

Аудитория: ИФМ РАН к.256