Главная
>
Сотрудники
>
Красильникова Л. В.
Красильникова Людмила Владимировна

Красильникова Людмила Владимировна

Научный сотрудник отдела физики полупроводников ИФМ РАН, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родилась 8 июля 1979 г. в г. Дзержинск Нижегородской области.

Научные интересы

Образование

Профессиональная карьера

Избранные публикации

  1. М.В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник «Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия” // Письма в ЖЭТФ. Т.81, вып.10, 2005. С.614-617.

  2. M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. M. Zhigunov, O. A. Shalygina, V. Yu. Timoshenko «Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si1-xGex:Er/Si structures under optical excitation” // Journal of Optical Materials 28, 2006. P. 893-896.

  3. Z.F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, L. V. Krasil’nikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, D. M. Zhigunov «Single- and multilayer Si: Er structures for LED and laser applications grown with sublimation MBE technique” // in Photonics, Devices, and Systems III (edited by Pavel Tomanek, Miroslav Hrabovsky, Miroslav Miler, Dagmar Senderakova). Proc. of SPIE, 2006, v. 6180. P.61800L1-L8.

  4. M. Stepikhova, L. Krasil’nikova, Z. Krasil’nik, V. Shengurov, V. Chalkov, S. Svetlov, D. Zhigunov, V. Timoshenko, O. Shalygina, P. Kashkarov «Si/SiGe:Er/Si Structures for Laser Realization: Theoretical Analysis and Luminescent Studies” // Journal of Crystal Growth 288, 2006. Issue 1, p. 65-69.

  5. Z.F.Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasilnikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, N. Q. Vinh, A. N. Yablonskiy, D. M. Zhigunov, «Erbium doped silicon single- and multilayer structures for light-emitting device and laser applications” // Journal of Materials Research, 2006, 21, p.574-583.

  6. Л.В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров «Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er, связанные с ионами Er3+” // ФТП, т.43, вып. 7, с.909-916 (2009)

  7. A.N. Yablonskiy, L. V. Krasilnikova, B. A. Andreev, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov and Z. F. Krasilnik «Band-to-band and direct optical excitation of Er in silicon: comparison of kinetics and temperature dependence of erbium PL” // Physica B: Condensed Matter, v.404, iss. 23-24, p. 4601-4603 (2009)

  8. Яблонский А. Н., Андреев Б. А., Красильникова Л. В., Крыжков Д. И., Кузнецов В. П., Красильник З. Ф. «Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er/Si” // ФТП, т.44, вып. 11, с.1519-1522 (2010).

  9. Красильникова Л. В., Яблонский А. Н., Степихова М. В., Дроздов Ю. Н., Шенгуров В. Г., Красильник З. Ф. «Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si1-xGex:Er/ Si с релаксированным гетерослоем” // ФТП, т.44, вып. 11, с.1527-1532 (2010).

  10. L. Krasilnikova, M. Stepikhova, Y. Drozdov, V. Chalkov, V. Shengurov, Z. Krasilnik. «On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures” // Phys. Status Solidi C, v.8, No. 3, 1044-1048 (2011)

Контакты

Email: luda@ipmras.ru

Телефон: +7 (831) 417-94-82

Аудитория: ИФМ РАН к.256