Излучательные характеристики p-n перехода

Руководитель

Красильникова Людмила Владимировна

Краткое описание работы

При рекомбинации в полупроводнике неравновесных электронно-дырочных пар, часть энергии может излучиться в виде квантов света. Такой процесс называется излучательной рекомбинацией — люминесценцией. Один из наиболее удобных способов возбуждения полупроводника — пропускание прямого тока через p-n-переход, т. е. инжекция неосновных носителей. Излучательная рекомбинация, возбуждаемая прямым током через p-n-переход, называется инжекционной электролюминесценцией. При этом в полупроводниковых диодах происходит прямое преобразование энергии электрического тока в энергию света. Лабораторная работа посвящена экспериментальному исследованию излучательных характеристик светодиодов из GaAs и GaAs1-xPx.

Список оборудования

• Лабораторный стабилизированный источник питания с высокой стабильностью выходных величин ТЕС-41

• Цифровой вольтметр В7-38

• монохроматор МДР-23, выполненный по асимметричной схеме Фасти со сферическими зеркальными объективами

• Синхродетектор Unipan 232B

• фотоэлектронный умножитель ФЭУ-100 (диапазон чувствительности 200 — 800 нм)

• фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62 (диапазон чувствительности 650 — 1200 нм)

• Светодиоды АЛ307А, АЛ107А

• Контактный профилометр модели 130, изготовитель завод «Протон-МИЭТ»

Учебно-методическое пособие

• Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.75-94.

Фото оборудования